AMD R5316G1609U2K

Общие характеристики AMD R5316G1609U2K

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

2 модуля по 8 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги AMD R5316G1609U2K

CAS Latency (CL)

9

RAS to CAS Delay (tRCD)

9

Row Precharge Delay (tRP)

9

Activate to Precharge Delay (tRAS)

24

Дополнительно AMD R5316G1609U2K

Напряжение питания

1.5 В

Радиатор

есть