AMD R532G1601S1SL-UO

Общие характеристики AMD R532G1601S1SL-UO

Тип памяти

DDR3L

Форм-фактор

SODIMM 204-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

1 модуль 2 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги AMD R532G1601S1SL-UO

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

Дополнительно AMD R532G1601S1SL-UO

Напряжение питания

1.35 В