AMD R538G1601S2S-UGO

Общие характеристики AMD R538G1601S2S-UGO

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

SODIMM 204-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги AMD R538G1601S2S-UGO

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Activate to Precharge Delay (tRAS)

28

Дополнительно AMD R538G1601S2S-UGO

Напряжение питания

1.5 В