GoodRAM GP2133D364L10AS/4G

Общие характеристики GoodRAM GP2133D364L10AS/4G

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

2133 МГц

Пропускная способность

17000 Мб/с

Объем

1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги GoodRAM GP2133D364L10AS/4G

CAS Latency (CL)

10

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Activate to Precharge Delay (tRAS)

30

Дополнительно GoodRAM GP2133D364L10AS/4G

Количество чипов каждого модуля

8, односторонняя упаковка

Напряжение питания

1.65 В

Радиатор

есть

Количество ранков

1