GoodRAM GY2800D464L16S/8G

Общие характеристики GoodRAM GY2800D464L16S/8G

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM 288-контактный

Тактовая частота

2800 МГц

Пропускная способность

22400 Мб/с

Объем

1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги GoodRAM GY2800D464L16S/8G

CAS Latency (CL)

16

RAS to CAS Delay (tRCD)

18

Row Precharge Delay (tRP)

18

Activate to Precharge Delay (tRAS)

36

Дополнительно GoodRAM GY2800D464L16S/8G

Количество чипов каждого модуля

8, односторонняя упаковка

Напряжение питания

1.2 В

Радиатор

есть

Количество ранков

1