Mushkin 991306

Общие характеристики Mushkin 991306

Тип памяти

DDR

Форм-фактор

SODIMM 200-контактный

Тактовая частота

400 МГц

Пропускная способность

3200 Мб/с

Объем

1 модуль 512 Мб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги Mushkin 991306

CAS Latency (CL)

3

RAS to CAS Delay (tRCD)

3

Row Precharge Delay (tRP)

3

Activate to Precharge Delay (tRAS)

8

Дополнительно Mushkin 991306

Напряжение питания

2.5 В