Mushkin 991629

Общие характеристики Mushkin 991629

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

1 модуль 2 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги Mushkin 991629

CAS Latency (CL)

8

RAS to CAS Delay (tRCD)

8

Row Precharge Delay (tRP)

8

Activate to Precharge Delay (tRAS)

24

Дополнительно Mushkin 991629

Напряжение питания

1.8 В

Радиатор

есть

Дополнительная информация

напряжение питания 1.8-1.9В