Mushkin 991779

Общие характеристики Mushkin 991779

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1333 МГц

Пропускная способность

10666 Мб/с

Объем

1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC

есть

Буферизованная (Registered)

да

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги Mushkin 991779

CAS Latency (CL)

9

RAS to CAS Delay (tRCD)

9

Row Precharge Delay (tRP)

9

Activate to Precharge Delay (tRAS)

24

Дополнительно Mushkin 991779

Напряжение питания

1.5 В

Количество ранков

2