Mushkin 991949

Общие характеристики Mushkin 991949

Тип памяти

DDR2

Форм-фактор

SODIMM 200-контактный

Тактовая частота

800 МГц

Пропускная способность

6400 Мб/с

Объем

1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги Mushkin 991949

CAS Latency (CL)

6

RAS to CAS Delay (tRCD)

6

Row Precharge Delay (tRP)

6

Activate to Precharge Delay (tRAS)

18

Дополнительно Mushkin 991949

Напряжение питания

1.8 В