OCZ OCZ2TA1000VX21G

Общие характеристики OCZ OCZ2TA1000VX21G

Тип памяти

DDR2

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1000 МГц

Пропускная способность

8000 Мб/с

Объем

1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги OCZ OCZ2TA1000VX21G

CAS Latency (CL)

4

RAS to CAS Delay (tRCD)

4

Row Precharge Delay (tRP)

4

Activate to Precharge Delay (tRAS)

15

Дополнительно OCZ OCZ2TA1000VX21G

Напряжение питания

2.3 В

Радиатор

есть

Дополнительная информация

поддержка технологий Voltage eXtreme DDR2 (VX2) и Extended Voltage Protection